تیمی از پژوهشگران دانشگاه فودان چین موفق به ساخت سریع‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی نیمه‌هادی در جهان شده‌اند؛ یک حافظه فلش غیرفرار با نام «PoX» که می‌تواند فقط در 400 پیکوثانیه یک بیت را برنامه‌ریزی کند؛ یعنی امکان انجام حدود 25 میلیارد عملیات در هر ثانیه را دارد. بااین‌وجود، حافظه جدید محققان چینی 100 هزار برابر سریع‌تر از فناوری‌های امروزی است.

حافظه‌های مرسوم RAM (از نوع استاتیک و دینامیک) داده‌ها را در حدود 1 تا 10 نانوثانیه می‌نویسند ولی با قطع برق، همه داده‌هایشان را از دست می‌دهند. حافظه‌های فلش برخلاف آنها می‌توانند اطلاعات را بدون نیاز به برق حفظ کنند ولی معمولاً برای نوشتن هر بیت به چند میکروثانیه یا میلی‌ثانیه زمان نیاز دارند؛ بنابراین برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی امروزی که باید ترابایت‌ها داده را لحظه‌ای پردازش کنند، بسیار کند هستند.

بازطراحی فیزیک حافظه فلش

دانشمندان چینی به رهبری پروفسور «ژو پنگ» با جایگزینی کانال‌های سیلیکونی با گرافن دوبعدی و بهره‌گیری از انتقال بالستیک بار الکتریکی، فیزیک حافظه فلش را از نو طراحی کرده‌اند.

همان‌طور که ابتدای مطلب نیز اشاره شده، PoX حافظه غیرفرار است؛ یعنی می‌تواند داده‌ها را بدون نیاز به برق حفظ کند؛ ویژگی مهمی برای سیستم‌های هوش مصنوعی امروزی و دستگاه‌هایی با محدودیت باتری.

ترکیب سرعت فوق‌العاده بالا با مصرف انرژی بسیار پایین، می‌تواند چالش قدیمی حافظه در سخت‌افزارهای هوش مصنوعی را از بین ببرد؛ جایی که بیشترین مصرف انرژی نه از محاسبات بلکه از جابه‌جایی داده ناشی می‌شود.

حافظه فلش همچنان یکی از ارکان اصلی استراتژی جهانی در حوزه نیمه‌هادی‌هاست و حالا کارشناسان می‌گویند دستاورد دانشگاه فودان «مکانیزمی کاملاً نوآورانه» ارائه می‌دهد که می‌تواند این حوزه را متحول کند.